Транзистор 11N90C FQA11N90C польовий N-канальний 11A 900V TO-3P

\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n

Структура	N
Схема з'єднання	Одиничний
V(BR)DSS — напруга пробою стік-висток	900 V
Vgs — напруга затвор-висток	±30 V
Id25 — постійний струм стоку за 25 °C	11 А
Id75(100) — постійний струм стока за 75 °C	6.9 А
Rds (on)25 — опір стік-виток за 25 °C, Vgs=10V	0.91 Ом
VGS(th) — порожева напруга затвора-висток (діапазон)	3 ... 5 V
Потужність розсіювання за 25 °C	300 Вт

\n\n[caption id="attachment_2648" align="aligncenter" width="594"] Транзистор 11N90C FQA11N90C польовий N-канальний 11A 900V TO-3P [/caption]\n/nПольовий транзистор — це напівпровідниковий повністю керований ключ, керований електричним полем. Це головна відмінність з погляду практики від біполярних транзисторів, які керуються струмом. Електричне поле створюється напругою, прикладеною до затвора щодо джерела. Полярність керівного напруження залежить від типу каналу транзизора. Тут простежується гарна аналогія з електронними вакуумними лампами.